半导体光电
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国际刊号:1001-5868
国内刊号:50-1092/TN
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(1)来稿文责自负。文稿务必主题明确,论述合理,逻辑严谨,数据可靠,叙述清楚,文字精炼。内容应保守国家秘密,引用他人作品应给出来源。

(2)文稿一般不超过6000字,综述稿不超过8000字,其他类型的稿件酌减。属于综述、研究论文和技术报告的稿件,应附英文题名、作者名、单位名、摘要和关键词。基金项目应注明编号。

(3)摘要应包括目的、方法、结果和结论四个要素,也就是用简洁的语言说明文章要解决的问题,主要工作过程及所采用的技术手段和方法,研究所获得的实验数据、结果及其意义。篇幅以200~250字为宜。

(4)关键词以5~8个为宜。为便于文献检索,应尽可能提供中图分类号。

(5)文中涉及的物理量和计量单位应符合国家有关标准。计量单位请用GB3100-3102-93《量和单位》规定的法定计量单位。注意区分各物理量符号的文种、大、小写、正、斜体(矢量和矩阵用黑斜体)、上、下角标等。

(6)插图和表格应有图题和表题。插图应采用计算机制作,勿用截图。本刊为黑白印刷,请勿用彩色插图。

(7)文稿中引用他人的成果,务请写明原作者姓名、题名、来源,一并在参考文献中给出,并在正文中相应位置进行标示,否则责任由来稿人自负。参考文献只择主要的。文献的著录格式严格按照以下形式书写(含标点符号):

1)专著:作者.书名.版本(第1版不著录)[M].出版地:出版者,出版年.起止页码.

2)译著:作者.书名[M].译者,译.出版地:出版者,出版年:起止页码.

3)期刊:作者.题名[J].刊名,出版年份,卷(期):起止页码.

4)会议论文集:作者.题名[C]//编者.论文集名.出版地:出版者,出版年:起止页码.

5)学位论文:作者.题名:[学位论文][D].保存地:保存者,年份.

6)专利文献:专利申请者.题名.专利国别,专利号[P].公告日期或公开日期.

7)标准:责任者.标准代号标准名称[S].出版地:出版者,出版年.

8)电子文献标注格式:主要责任者.题名:其它题名信息[文献类型标志/文献载体标志].出版地:出版者,出版年(更新或修改日期)[引用日期].获取和访问路径.

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